HALBLEITERLASER-DYNAMIK UND THZ-STRAHLUNG
Für die Erzeugung und Detektion von THz Strahlung mittels Halbleiterlasern werden typischerweise nichtlineare Elemente verwendet, die eine Wechselwirkung zwischen Licht und THz Feld ermöglichen. Bei der Verwendung von Halbleiterlasern ist es jedoch im Prinzip möglich, nichtlineare Effekte direkt im Ladungsträgerplasma der Laserdioden zu verwenden, um eine Detektion / Generation von THz Strahlung zu ermöglichen.
Voraussetzung hierfür sind Zeitkonstanten der Ladungsträger welche im Bereich unterhalb einer ps liegen, um den schnellen THz Oszillationen zu folgen. Als Beleg hierfür dienen Experimente mittels VWM (Vier Wellen Mischen) welche zeigen, dass die Geschwindigkeiten in der Laserdiode ausreichend hoch für eine direkte Wechselwirkung sind. Dazu werden Halbleiterlaser auf zwei Farben gleichzeitig betrieben, wobei die Ladungsträger auch der Differenzfrequenz (im THz- Bereich) folgen. Diese Mischfrequenz moduliert wiederum die ursprünglichen Farben, so dass Seitenmoden im Abstand der Differenzfrequenz entstehen (siehe Bild). Dieser Effekt kann dazu genutzt werden, um sowohl den gleichzeitigen Betrieb zweier Farben in einem Laser, als auch die hohe Modulationsgeschwindigkeit der Ladungsträger nachzuweisen.
Abbildung 1: Experimente zum Vier-Wellen-Mischen. Die Seitenmoden entstehen durch Mischprozesse im Halbleiterlaser und sind Nachweis, dass die Ladungsträger den Modulationen folgen können (Eine Differenz von 1nm der Hauptmoden entspricht hier etwa einer Modulationsfrequenz von 400GHz)
Bei kommerziellen Laserdioden konnte sogar gezeigt werden, dass eine Emission bei der Mischfrequenz abgestrahlt wird. Dabei ist die Leistung jedoch relativ gering, da ein Großteil der Strahlung schon in der Laserdiode wieder absorbiert wird. Eine Optimierung könnte hier Möglichkeiten bieten THz- Strahlung direkt mittels Laserdioden ohne weiteres nichtlineares Element zu erzeugen.
Auf der anderen Seite ist jedoch auch eine Detektion der THz- Strahlung mit Halbeiterlaserdioden möglich. Zwar hat diese Vorgehensweise auch mit der hohen Absorption innerhalb der Laserdiode zu kämpfen, allerdings findet zudem eine Erwärmung des Ladungsträgerplasmas statt. Die dadurch hervorgerufene Änderung der Quasi-Fermi Niveaus lässt sich durch eine einfach Spannungsmessung an der Diode abgreifen, so dass ein kostengünstiger Detektor zur Verfügung steht. Eine Optimierung könnte hier dazu führen, dass auch geringere THz- Leistungen als bisher (einige mW) mit dem Verfahren detektiert werden können.
Versuchsaufbau zur Detektion von THz-Strahlung mittels Halbleiterlasern.
Die zwei größten Herausforderungen in diesem Bereich stellen die folgenden Punkte dar:
- Die bisher verwendeten kommerziellen Laserdioden sind nicht für diesen Strahlungsbereich konzipiert, so dass ein Großteil der THz- Strahlung von freien Ladungsträgern absorbiert wird und somit nicht für den Dektions- bzw. Generationsmechanismus zur Verfügung steht.
- Für eine optimale Ausnutzung des Effekts ist es erforderlich Phasenanpassung zwischen den optischen und THz- Frequenzkomponenten zu erhalten. Dies ist jedoch, wenn überhaupt nur für einzelne Frequenzen möglich und erfordert ein komplett neues Laserdioden- Design, welches die neuen Randbedingungen berücksichtigt.
Referenz:
- Semiconductor laser based THz generation and detection, Carsten Brenner, Stefan Hoffmann, Claus-Stefan Friedrich, Tobias Schlauch, A. Klehr, G. Erbert, G. Tränkle, C. Jördens, M. Salhi, M. Koch, Martin R. Hofmann - phys. stat. sol. C6, 564
- Interaction of Semiconductor Laser Dynamics with THz Radiation, Carsten Brenner, Stefan Hoffmann, Martin R. Hofmann - Adv. in Solid State Phys. 47, 179
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