Der Lehrstuhl Photonics and Ultrafast Laser Science und die Ausgründung RayVen entwickeln gemeinsam mit europäischen Partnern einen neuartigen Ultrakurzpulslaser. Die Technologie soll die Herstellung dreidimensionaler Halbleiterchips verbessern. Das Forschungsprojekt wird mit insgesamt drei Millionen Euro durch das europäische Förderprogramm EIC Pathfinder unterstützt.
Moderne Halbleiterchips bestehen zunehmend aus mehreren übereinanderliegenden Schichten, die durch sogenannte Silizium-Durchkontaktierungen (Through-Silicon Vias, TSVs) elektrisch miteinander verbunden werden. Diese winzigen Verbindungen sind ein wichtiger Bestandteil leistungsfähiger 3D-Halbleiterarchitekturen.
Im Rahmen des Forschungsprojekts entwickeln die Partner einen neuartigen Ultrakurzpulslaser, mit dem sich besonders kleine und tiefe Strukturen in Silizium erzeugen lassen sollen. Der Laser arbeitet mit einer zentralen Wellenlänge von zwei Mikrometern im sogenannten Gigahertz-Burst-Modus.
An dem auf vier Jahre angelegten Projekt, das im April 2026 gestartet ist, sind der Lehrstuhl Photonics and Ultrafast Laser Science unserer Fakultät unter der Leitung von Prof. Dr. Clara Saraceno, die Bochumer Ausgründung RayVen unter der Leitung von Dr. Celia Millon, das französische Forschungszentrum CNRS sowie die Unternehmen CRYTUR und LASEA beteiligt.
